Ich entwerfe einen professionellen RF-Leistungsverstärker mit GaN LDMOS
Senior RnD Design Ingenieur
Über diesen Service
ÜBER DIESES GIG
Senior RF-Leistungsverstärker-Ingenieur mit über 10 Jahren Erfahrung in der Entwicklung hochleistungsfähiger PA-Lösungen für Verteidigungsauftragnehmer, SDR-Entwickler, Telekommunikationsanbieter und RF-Hersteller weltweit.
Komplette PA-Entwicklung von Architektur bis hin zu Fertigungsdokumentation für Militärradios, SDR-Plattformen, UAV-Systeme, Satelliten-Terminals und industrielle RF-Systeme.
Spezialisiert auf HF, VHF, UHF, L-Band, S-Band, C-Band (bis zu 8 GHz), 0,1W bis 100W. Fachkenntnisse umfassen Transistorauswahl, Bias-Netzwerke, Load-Pull-Optimierung, Matching-Netzwerke, Linearitätssteigerung, Wärme management.
Ich arbeite mit GaN HEMT, LDMOS, GaAs, Siliziumbauteilen in Class A/AB/B/C, D/E/F und Doherty-Architekturen.
Lieferumfang:
ADS/HFSS-Dateien, Schaltpläne, Gerber-Dateien, S-Parameter, Leistungsdiagramme (Verstärkung, PAE, IMD, ACPR), Wärmeanalysen, BOM, Dokumentation.
Anwendungen:
SDR-Sender, taktische Radios, UAV-Uplinks, Satelliten-Terminals, Basisstationen, industrielle RF.
Kontakt vor Bestellung:
Frequenzbereich, Ausgangsleistung, Modulation, Linearitäts-/Effizienz-Ziele, Einschränkungen.
NDA verfügbar. Strikte Vertraulichkeit.
Schlüsselwörter:
RF-Leistungsverstärker, PA-Design, GaN, LDMOS, Doherty, Keysight ADS
FAQ
Automatische Übersetzung
Q1: Welche Informationen benötigst du, um das PA-Design zu starten?
Ich brauche Frequenzbereich, Ausgangsleistung, Modulationstyp, Linearitäts-/Effizienz-Ziele, Versorgungsspannung, Größenbeschränkungen und Anwendungsumfeld. Kontaktiere mich vor der Bestellung für eine kostenlose technische Beratung, um sicherzustellen, dass das Design genau deinen Anforderungen entspricht.
Q2: Bietest du physische Prototypen oder nur Design-Dateien an?
Ich liefere vollständige Design-Dateien und Fertigungsdokumentation. Du kannst das PA anhand der Schaltpläne, BOM und PCB-Richtlinien, die ich bereitstelle, herstellen. Das Advanced-Paket beinhaltet Unterstützung bei der Fertigung und Feinabstimmung für die Prototypenentwicklung.
Q3: Mit welchen Transistortechnologien arbeitest du?
Ich entwerfe mit GaN HEMT (hohe Leistungsdichte, breiter Bandbreite), LDMOS (robust, kosteneffektiv für Narrowband), GaAs pHEMT/HBT (geringer Rauschpegel, hohe Frequenzen) und Silizium BJT/MOSFET (niedrige Kosten, niedrigere Frequenzen). Ich wähle Bauteile basierend auf Frequenz, Leistung, Effizienz und Kostenanforderungen.
Q4: Kannst du Leistungsverstärker für militärische oder Verteidigungsanwendungen entwerfen?
Ja. Ich habe umfangreiche Erfahrung mit militärischen RF-Systemen, taktischen Radios, robusten Designs und Hochzuverlässigkeitsanwendungen. Alle Verteidigungsprojekte werden unter strenger Vertraulichkeit behandelt, und ich kann NDA unterschreiben, wenn erforderlich.
Q5: In welchen Verstärkerklassen bist du spezialisiert?
Ich entwerfe Class A/AB für hohe Linearität, Class B/C für Effizienz, Class D/E/F für Schaltmodus mit hoher Effizienz und Doherty-Architekturen für Effizienz bei Power-Back-off. Die Wahl hängt von deinem Modulationsschema, Linearitätsanforderungen und Effizienz-Zielen ab.
Q6: Kannst du sowohl Effizienz als auch Linearität optimieren?
Ja. Für modulierte Signale, die Linearität erfordern (OFDM, QAM), verwende ich Techniken wie Class AB mit Hüllkurven-Tracking, digitaler Vorverzerrung oder Doherty-Architekturen, die bei Back-off-Leistungen hohe Effizienz bewahren und gleichzeitig ACPR- und EVM-Anforderungen erfüllen.
